据午方 AI 消息，三星电子已正式启动第七代 1D DRAM 的大规模生产筹备工作，并计划于明年上半年引进相关生产设备。相较于当前 1C DRAM 约 11-12 纳米的线宽，新一代 1D DRAM 将线宽进一步压缩至 10-11 纳米，以期在性能与能效层面实现显著跃升。

尽管关键设备尚处研发阶段，三星正与合作伙伴协同优化产量及性能指标，力争在年底前敲定具体生产时间表。作为人工智能内存业务的核心支柱，1D DRAM 技术将为预计 2029 年投入商业应用的 HBM5E 高带宽内存提供底层支撑，从而巩固三星在 AI 芯片供应链中的竞争优势。