据 Woofun AI 消息，三星电子提交了最新的高带宽内存（HBM）相关专利，重点针对12层及以上高堆叠内存的可靠性挑战。该技术方案将顶层虚拟芯片侧面设计为具有 Convex 曲面的三阶阶梯结构，并采用深槽锯切工艺，以减少变形、裂纹及分层现象，同时改善散热并维持粘接界面清洁。

此项技术主要面向HBM5及16层以上产品，旨在提高制造良率与长期稳定性，强化三星在AI高带宽内存市场的竞争地位。