据 Woofun AI 消息，Citrini 机构分析师 jukan 指出，中国长鑫存储 (CXMT)正在合肥测试一种键合式 DRAM 试产线。该技术通过将存储单元阵列与外围电路分别制作在不同晶圆后粘合，仅需使用多图案深紫外（DUV）光刻设备即可制造超高密度 DRAM，无需依赖 EUV 光刻技术。目前三星电子在 "B1b" 项目中研发同类技术，SK 海力士也在推进类似方案。韩国媒体警告称，分析认为长鑫存储在该技术本身及其发展速度方面，目前可能已经领先于其韩国竞争对手。