据 Woofun AI 消息，英特尔正考虑在1.4纳米制程中引入双侧供电架构，旨在缩小与台积电及三星电子的技术差距。行业人士透露，英特尔原计划在14A Base制程中使用后侧供电技术PowerDirect，但在后续的14A2制程中则考虑引入能够同时利用前后两侧电力的双侧架构。此举旨在解决芯片微型化带来的电力供应瓶颈，通过将部分前侧金属线路用于辅助供电和时钟信号传输，实现M0间距从28纳米降至21纳米。英特尔预计14A制程将于2028年进入风险生产，2029年实现大规模量产，并需在今年10月前发布工艺设计套件以争取无晶圆厂客户订单。相比之下，台积电计划2028年推出1.4纳米A14产品，三星则预计2027年在2纳米增强版SF2Z制程中商业化应用后侧供电技术。