据 Woofun AI 消息，三星电子与 SK 海力士正在重新评估在下一代高带宽内存（HBM）产品中应用混合键合技术的时间表。由于市场对 HBM 厚度缩减及散热性能提升的需求有所下降，业内预计该技术的引入时间将比此前预期更为推迟。

与此同时，这两家公司均在研发 HPB 和 iHBM 等新的散热解决方案，计划将其应用于 HBM5 产品中。行业专家认为，随着未来 HBM 接口数量的持续增加，混合键合技术仍将是一条重要的长期技术发展路径。