据 Woofun AI 消息，SK 海力士已启动龙仁半导体集群 Y1 工厂第一阶段洁净室的设备采购工作，并将原定于 2027 年 5 月的投产时间表提前至 2027 年 2 月。该工厂初步计划将 1c DRAM 月产能提升至 20,000 片，主要用于生产应用于人工智能领域的高附加值 DDR 及 LPDDR 产品，并预计支持 2027 年 HBM4E 的最早商业化应用。

为加速设备引进，SK 海力士将设备价格谈判从年底提前至第三季度初。与此同时，总投资约 60 万亿韩元的龙仁半导体集群整体建设进度也在加快，其中第四座工厂完工时间从 2045 年大幅提前至 2033 年，Y1 工厂第二及第三阶段洁净室预计于今年下半年动工。