据 Woofun AI 消息，三星电子已在平泽P5工厂启动Die-to-Wafer（D2W）混合键合大规模生产线建设，旨在为下一代HBM及逻辑半导体提供先进封装支持。该生产线主要设备供应商为荷兰Besi公司，三星计划采购约50台设备，单台售价约4300万美元（约合600亿韩元），这一价格是同类产品价格的两倍。但由于三星要求对设备架构进行定制化修改，谈判进展较为缓慢。

与此同时，三星子公司SEMES已完成D2W混合键合机研发并送出样品；韩华Semitech在2月完成第二代“SHB2 Nano”产品研发并于4月将样品送给SK 海力士。

该技术通过混合铜键合取代传统热压键合，缩短互连长度，核心应用场景为定制型HBM的3D系统级封装。Citrini公司的分析师Jukan表示，英伟达即将推出的采用定制型HBM的下一代AI加速器Feynman也很可能运用这种混合键合技术，而该技术的实际应用时间相比原本的HBM4E计划已经有所推迟。在三星内部，人们预计这种技术的大规模应用可能在2029年至2030年左右实现，这一时间点与英伟达Feynman产品的预期上市时间相吻合。