据 Woofun AI 消息，SK 海力士正加速推进面向边缘 AI 领域的下一代 DRAM 技术——3D 堆叠 DRAM 的研发工作。该公司已启动人才招募计划，并计划与美国客户合作共同开发该技术。3D 堆叠 DRAM 将存储芯片直接堆叠在逻辑半导体之上，被视为物理 AI 时代边缘 AI 设备的核心半导体解决方案。

目前，SK 海力士正通过其位于美国圣何塞的美洲子公司招聘相关设计工程师，以推动技术发展。