據 Woofun AI 消息，三星電子提交了最新的高帶寬內存（HBM）相關專利，重點針對12層及以上高堆疊內存的可靠性挑戰。該技術方案將頂層虛擬芯片側面設計爲具有 Convex 曲面的三階階梯結構，並採用深槽鋸切工藝，以減少變形、裂紋及分層現象，同時改善散熱並維持粘接界面清潔。

此項技術主要面向HBM5及16層以上產品，旨在提高製造良率與長期穩定性，強化三星在AI高帶寬內存市場的競爭地位。