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三星HBM4E良率超70% D1d工藝11月投產
2026-07-01 13:58

Woofun AI 獲悉,三星電子DS部門首席技術官宋在赫透露,第七代HBM4E產品可靠性測試良率已超過70%,研發工作正逐步步入穩定軌道。此前三星已於2月實現第六代HBM4大規模量產,並於5月底發佈HBM4E 12層技術規格及寄送樣品。

HBM4將應用於英偉達計劃今年下半年推出的AI加速器Vera Rubin,而HBM4E有望用於明年推出的下一代AI加速器Vera Rubin Ultra。此外,作爲HBM5核心技術的D1d工藝設定目標在11月前獲得生產授權,旨在提升新一代DRAM競爭力。

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標簽:
Song Jae-hyuk
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