據 Woofun AI 消息，Citrini 機構分析師 jukan 指出，中國長鑫存儲 (CXMT)正在合肥測試一種鍵合式 DRAM 試產線。該技術通過將存儲單元陣列與外圍電路分別製作在不同晶圓後粘合，僅需使用多圖案深紫外（DUV）光刻設備即可製造超高密度 DRAM，無需依賴 EUV 光刻技術。目前三星電子在 "B1b" 項目中研發同類技術，SK 海力士也在推進類似方案。韓國媒體警告稱，分析認爲長鑫存儲在該技術本身及其發展速度方面，目前可能已經領先於其韓國競爭對手。