據 Woofun AI 消息，英特爾正考慮在1.4納米制程中引入雙側供電架構，旨在縮小與臺積電及三星電子的技術差距。行業人士透露，英特爾原計劃在14A Base製程中使用後側供電技術PowerDirect，但在後續的14A2製程中則考慮引入能夠同時利用前後兩側電力的雙側架構。此舉旨在解決芯片微型化帶來的電力供應瓶頸，通過將部分前側金屬線路用於輔助供電和時鐘信號傳輸，實現M0間距從28納米降至21納米。英特爾預計14A製程將於2028年進入風險生產，2029年實現大規模量產，並需在今年10月前發佈工藝設計套件以爭取無晶圓廠客戶訂單。相比之下，臺積電計劃2028年推出1.4納米A14產品，三星則預計2027年在2納米增強版SF2Z製程中商業化應用後側供電技術。