據 Woofun AI 消息，三星電子與 SK 海力士正在重新評估在下一代高帶寬內存（HBM）產品中應用混合鍵合技術的時間表。由於市場對 HBM 厚度縮減及散熱性能提升的需求有所下降，業內預計該技術的引入時間將比此前預期更爲推遲。

與此同時，這兩家公司均在研發 HPB 和 iHBM 等新的散熱解決方案，計劃將其應用於 HBM5 產品中。行業專家認爲，隨着未來 HBM 接口數量的持續增加，混合鍵合技術仍將是一條重要的長期技術發展路徑。