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三星HBM4E良率超70% D1d工艺11月投产
2026-07-01 13:58

Woofun AI 获悉,三星电子DS部门首席技术官宋在赫透露,第七代HBM4E产品可靠性测试良率已超过70%,研发工作正逐步步入稳定轨道。此前三星已于2月实现第六代HBM4大规模量产,并于5月底发布HBM4E 12层技术规格及寄送样品。

HBM4将应用于英伟达计划今年下半年推出的AI加速器Vera Rubin,而HBM4E有望用于明年推出的下一代AI加速器Vera Rubin Ultra。此外,作为HBM5核心技术的D1d工艺设定目标在11月前获得生产授权,旨在提升新一代DRAM竞争力。

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Song Jae-hyuk
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