據午方 AI 消息，三星電子已正式啓動第七代 1D DRAM 的大規模生產籌備工作，並計劃於明年上半年引進相關生產設備。相較於當前 1C DRAM 約 11-12 納米的線寬，新一代 1D DRAM 將線寬進一步壓縮至 10-11 納米，以期在性能與能效層面實現顯著躍升。

儘管關鍵設備尚處研發階段，三星正與合作伙伴協同優化產量及性能指標，力爭在年底前敲定具體生產時間表。作爲人工智能內存業務的核心支柱，1D DRAM 技術將爲預計 2029 年投入商業應用的 HBM5E 高帶寬內存提供底層支撐，從而鞏固三星在 AI 芯片供應鏈中的競爭優勢。