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三星混合鍵合技術或應用於英偉達Feynman芯片
2026-07-21 18:23

據 Woofun AI 消息,三星電子已在平澤P5工廠啓動Die-to-Wafer(D2W)混合鍵合大規模生產線建設,旨在爲下一代HBM及邏輯半導體提供先進封裝支持。該生產線主要設備供應商爲荷蘭Besi公司,三星計劃採購約50臺設備,單臺售價約4300萬美元(約合600億韓元),這一價格是同類產品價格的兩倍。但由於三星要求對設備架構進行定製化修改,談判進展較爲緩慢。

與此同時,三星子公司SEMES已完成D2W混合鍵合機研發並送出樣品;韓華Semitech在2月完成第二代“SHB2 Nano”產品研發並於4月將樣品送給SK 海力士。

該技術通過混合銅鍵合取代傳統熱壓鍵合,縮短互連長度,核心應用場景爲定製型HBM的3D系統級封裝。Citrini公司的分析師Jukan表示,英偉達即將推出的採用定製型HBM的下一代AI加速器Feynman也很可能運用這種混合鍵合技術,而該技術的實際應用時間相比原本的HBM4E計劃已經有所推遲。在三星內部,人們預計這種技術的大規模應用可能在2029年至2030年左右實現,這一時間點與英偉達Feynman產品的預期上市時間相吻合。

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