三星SK海力士加碼HBM研發，投入超440億美元

兩巨頭加速佈局下一代存儲技術，三星Q2研發投入創紀錄，海力士資本支出達326億美元。

據 Woofun AI 消息，韓國三星電子與 SK 海力士正加速推進 HBM 及下一代存儲技術研發，以鞏固市場領先地位。三星電子披露，其第二季度研發投入創下 16 萬億韓元（約 116 億美元）的歷史新高，並計劃擴大 HBM4、HBM4E 及 DDR5 等高端存儲產品的業務佈局。

SK 海力士方面正在開發 HBM5、混合鍵合及 iHBM 等前沿技術，預計今年資本支出規模將達到 40 萬億韓元（約 326 億美元）。