DRAM短缺或延續至2027年，英偉達擬降Rubin Ultra HBM配置

受DRAM供應緊張及HBM4e認證不確定性影響，英偉達正評估降低Rubin Ultra HBM堆疊層數，以平衡產能與成本。

據 Woofun AI 消息，TrendForce 最新報告指出，DRAM 供應短缺狀況預計將持續至 2027 年，且 HBM4e 認證時間表仍存變數。自 2026 年第三季度起，英偉達開始重新評估 Rubin Ultra 的 HBM 配置方案，從原定的 12 層堆疊 HBM4e 轉向同時評估 8 層 HBM4e、12 層 HBM4 及 8 層 HBM4 等多種設計，最終規格尚未確定。

TrendForce 分析認爲，這一調整主要受限於 2027 年總體 DRAM 短缺導致的晶圓產能擠壓，以及 12 層 HBM4e 認證與良率提升的不確定性。儘管 2027 年 HBM 比特出貨量預計同比增長 50% 至 60%，但仍難以匹配需求增速，供應商有望全年保持定價權。若英偉達選擇降低 HBM 規格，Rubin Ultra 的 I/O 速度可能維持在 11 至 12Gbps，而非提升至 14 至 16Gbps。