三星与 ASML 合作开发 12 英寸 EUV 掩模版

双方联手推动掩模版由 6 英寸转向 12 英寸，旨在提升生产效率并降低芯片制造成本。

据 Woofun AI 消息，三星电子将与 ASML 共同开发高数值孔径极紫外光刻技术，推动行业标准从 6 英寸光掩模版向 12 英寸版本转变。三星力争率先基于该设备建立 DRAM 量产体系，计划自 2028 年起在 DRAM 生产中应用高 NA EUV 设备，随后扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺以支持晶圆代工业务。

高 NA EUV 的数值孔径较传统 EUV 高出 66%，可形成更精细的电路图案。将掩模版尺寸扩大至 12 英寸旨在弥补 EUV 技术局限，从而提升晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。