三星电机与高通联合开发有机桥 2.1D 封装技术

双方合作超一年，该技术采用有机材料替代硅桥，旨在提升多芯片连接密度与可靠性。

据 Woofun AI 消息，三星电机与高通已共同开展有机桥 2.1D 封装技术的开发与验证工作逾一年。该技术利用有机材料及基板工艺制作连接桥，功能类似英特尔 EMIB 的硅桥，用于实现同一封装内多颗半导体芯片的互联。

目前，三星电机在带凹槽的 FC-BGA 基板中嵌入有机桥以连接高通芯片，并同步评估其性能与可靠性。

高通正考虑将该技术应用于数据中心大型多芯片半导体，并于 2024 年 10 月申请相关专利。三星电机同时与多家其他客户并行推进该技术开发，目标实现 5 至 7 层再布线层，线宽与间距达 1.5 至 2 微米，过孔 4 至 5 微米，芯片间图案密度为每毫米 500 至 1000 个。

此外，三星电机正自行试制评估样品，考察外部供应方案，并与三星电子晶圆代工厂合作进行封装评估。