长鑫 4F²年底送样，美光斥烟雾弹

据 Woofun AI 消息，记忆体产业技术路线之争再度白热化，长鑫存储（）证实其第六代 DRAM 技术平台已通过工程样品验证，并预计在 2026 年底前向客户送样，此举被视为对先前将 4F² 架构称为"烟雾弹"的强烈回应。

长鑫存储在投资人关系纪录中披露了详细的技术进展与产品规划，确认其第六代 DRAM 技术平台采用 4F² 架构，该架构透过改变记忆单元的排列方式，将面积系数从主流的 6 降至 4，从而在同等面积内容纳更多记忆单元，显著提升晶片密度。

目前，该平台已顺利通过工程样品验证，首款产品预计于 2026 年底前送交客户进行测试。在技术实现路径上，长鑫的 4F² 架构采用了垂直环绕闸极（VSG）电晶体技术，这项技术使其能够在深紫外光（DUV）微影技术可达到的尺寸限制下，进一步提升晶片密度。

Woofun AI 整理数据显示，长鑫在此领域已建立深厚的专利壁垒，目前拥有超过 300 个公开专利家族。基于此技术基础，长鑫规划在年底前后推出结合 4F² 架构与混合键合技术的 DDR5 RDIMM 伺服器模组，至于后续是否进入量产阶段，将取决于客户的验证结果以及市场需求的实际反馈。

面对长鑫的技术突破，美光（）总裁暨技术产品长 在近期的技术研讨会上明确表达了反对立场。他重申美光将继续维持 6F² 技术路线，并在未来直接转向 3D DRAM 架构。Scott DeBoer 指出，美光对 4F² 技术的研究已持续超过 20 年，但结论是该技术缺乏可行的微缩路径，因此他将部分关于 4F² 的讨论形容为"烟雾弹"。美光的核心论点在于，决定 DRAM 密度极限的关键因素在于电容的间距和尺寸，而非电晶体的排列方式。这意味著美光认为单纯改变电晶体排列以缩小面积系数，无法解决根本的物理限制问题，因此选择了不同的技术演进方向。

针对美光的质疑，长鑫从系统工程的角度进行了反驳，强调提升记忆体密度并非单一维度的问题，而是字元线、位元线和电容在有限空间内争夺资源的复杂过程。长鑫指出，在特定的制程节点下，不同架构在制程整合难度、微影步骤数和热预算等方面存在显著的成本差异，各家晶圆厂会根据自身的技术背景、现有产线条件、专利布局以及资本支出策略做出不同的选择，这些选择都值得理解和尊重。

与此同时，产业巨头和 并未放弃 4F² 研发。三星在 2026 年国际固态电路研讨会（ISSCC 2026）上展示了结合垂直通道电晶体和晶圆级混合铜键合技术的 16Gb 4F² 原型晶片，并计划在 10a、10b、10c 三个制程节点采用 4F² 架构，直到 10d 节点才转向 3D DRAM，三星半导体技术长宋载赫证实相关研发正在持续推进。SK 海力士同样投入 4F² 研发，采用垂直闸极技术，预估可让记忆体密度提升 20% 以上，并于 2026 年 7 月完成了测试阵列的读写验证，计划在 12 月的国际电子元件会议（IEDM）上发表关于无电容 4F² 技术的论文。

长鑫的消息引发了资本市场的剧烈震荡，财信传媒董事长谢金河于 1 日发文指出，全球记忆体股均受到冲击，南韩股市和费城半导体指数面临破底压力，其中 SK 海力士股价已率先破底。谢金河强调，市场最大的恐惧源于担忧记忆体产业会重蹈电动车行业的覆辙，即因中国业者在全球范围内进行杀价竞争而陷入困境。