三星得州二厂 2030 年量产高带宽内存裸片

据 Woofun AI 消息，将在美国得克萨斯州泰勒市建设第二座晶圆代工厂，专为 和生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计本月动工，采用 2 纳米制程技术，占地约 270 万平方英尺，规模为首座工厂的 1.5 倍。预计 2029 年 2 月安装设备，2030 年启动量产。