三星SK海力士加码HBM研发，投入超440亿美元

两巨头加速布局下一代存储技术，三星Q2研发投入创纪录，海力士资本支出达326亿美元。

据 Woofun AI 消息，韩国三星电子与 SK 海力士正加速推进 HBM 及下一代存储技术研发，以巩固市场领先地位。三星电子披露，其第二季度研发投入创下 16 万亿韩元（约 116 亿美元）的历史新高，并计划扩大 HBM4、HBM4E 及 DDR5 等高端存储产品的业务布局。

SK 海力士方面正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等前沿技术，预计今年资本支出规模将达到 40 万亿韩元（约 326 亿美元）。