ASML 计划 2033 年量产大尺寸掩模版光刻技术

ASML 拟开发新方案以支持大型数据中心芯片制造，计划 2031 年展示试验线，2033 年实现量产。

据 Woofun AI 消息，ASML 宣布将与主要客户合作开发新方案，旨在满足英伟达等公司对大型数据中心芯片的制造需求。目前广泛应用的极紫外 EUV 光刻机可制造面积最大约 800 平方毫米的芯片，而即将推出的高数值孔径 EUV 光刻机虽能制造更精细芯片，但受限于较小尺寸的掩模版，导致可制造芯片面积受限。

ASML 计划于 2031 年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并预计在 2033 年使该技术具备大规模量产能力。