长鑫存储拟在北京建厂进军 NAND 闪存市场

长鑫存储计划在北京设立 NAND 研发线及研究院，拓展 DRAM 外业务，已与 AI 芯片初创客户接洽。

据 Woofun AI 消息，长鑫存储（CXMT）正准备进入 NAND 闪存芯片市场，在核心 DRAM 业务之外进行扩展，将与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储形成竞争。该公司计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并设立包含 NAND 开发项目的研究院。长鑫存储已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。

目前，研发线运营或大规模商业制造的具体时间表尚不明确。

此前，长鑫存储在 7 月 IPO 中募资 579.2 亿元人民币。受 AI 服务器需求推动，全球存储短缺预计至少持续至 2027 年，制造商优先投入 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长江存储于 2022 年被列入实体清单。