韩国内存芯片领先地位预计将持续至 2031 年

得益于三星与 SK 海力士巨额投资及产能翻倍计划，韩国在全球内存市场的优势地位预计将维持至 2031 年。

据 Woofun AI 消息，法国市场研究机构 Yole Group 分析师约瑟芬·洛在 2026 未来内存与存储大会上表示，韩国将在 2031 年前保持全球内存产业前沿地位。分析指出，韩国计划在未来五年内将晶圆产能翻一番，三星电子与 SK 海力士也将加大投资力度，通过提升下一代 DRAM（含 HBM）及 NAND 产能并推进技术发展以维持优势。

此外，HBM 需求预计将从英伟达 GPU 迅速转向谷歌等科技企业自研 AI 加速器。