SK 海力士引入英特尔 EMIB 封装技术

SK海力士在Hot Chips披露下一代HBM封装路线图，探索混合键合以突破16层堆叠限制。

据 Woofun AI 消息，SK 海力士正为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终实现 3D 封装。在 2026 年 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表报告，阐述利用先进封装加速 HBM 产品路线图的策略。

目前 SK 海力士正在探索混合键合等方法以突破 16 层堆叠限制。未来，公司计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度以及优化电源分配网络来解决功耗挑战。截至发文时，SK 海力士韩股涨 1.71%。