台积电 2030 年起量产 ASML 高 NA EUV 光刻机

台积电宣布2030年量产高NA EUV，并与ASML合作开发12英寸掩模，计划2033年投入生产以降低成本。

据 Woofun AI 消息，台积电于 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用 ASML 制造的高 NA EUV 光刻机。双方同日确认将开展行业横断的高 NA 机改良工作，旨在将光掩模从目前的 6 英寸大型化为 12 英寸，并开发对应设备。

该项目计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应设备达到可投入先进半导体生产的状态。高 NA 机虽能描绘更细电路，但单次曝光面积减半导致工序复杂、成本上升；通过掩模大型化扩大曝光面积，有望有效降低制造成本。