瑞银预测中国十年内难替代阿斯麦 EUV 光刻

瑞银分析指出，中国EUV技术成熟度滞后约15年，但有望在2-5年内实现浸没式DUV量产。

据 Woofun AI 消息，瑞银分析师在最新报告中评估，未来十年内中国半导体制造领域可能难以开发出足以替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外（EUV）光刻技术的方案。报告对比指出，从专利申请及光源、激光子系统等技术指标来看，中国当前的技术成熟度大致相当于阿斯麦在 2004 年、即开始大规模生产 EUV 设备前 15 年的水平。

瑞银同时预测，中国有望在未来两至五年内具备浸没式深紫外（DUV）光刻机的大规模量产能力。尽管浸没式 DUV 技术层级低于 EUV，但其仍是芯片制造的关键设备。目前阿斯麦浸没式 DUV 售价近 9000 万美元，EUV 设备单价超过 2 亿美元。受出口管制影响，阿斯麦被禁止向中国出售 EUV 设备。瑞银认为，鉴于良率、产能差距及监管限制，中国本土光刻设备短期内难以在境外市场获得应用。