长鑫 4F²突破引爆存储抛售,美光闪迪逼近熊市
核心要点
存储板块遭集中抛售,美光闪迪连跌逼近技术性熊市。长鑫科技4F²架构突破及韩企回购结束,叠加市场对2028年供需逆转的担忧,导致估值承压。
据 Woofun AI 消息,存储板块正经历一场由多重压力叠加引发的集中抛售,与作为行业标杆股领跌,其中美光周一收跌 3.88%,闪迪跌幅更深至 5.97%。这两只股票已连续七个交易日中六个交易日下跌,美光距 6 月高点跌幅接近 20%,濒临技术性熊市。
这一市场现象并非孤立事件,而是韩国市场补跌、巨头回购托底消失以及中国厂商技术突破三重冲击共振的结果, EMEA 交易主管 将这一局面概括为'存储仍是震中',直指市场核心忧虑在于峰值盈利担忧正在压制估值。
值得注意的是,尽管近期基本面极为亮眼,但投资者已将目光投向更远的未来,这种预期差构成了当前行情调整的根本逻辑。从结构上看,存储股'已成为价值股,以当前盈利衡量估值便宜',正如 的 所言,但'散户和快钱对冲基金追逐的是成长,而非价值',这种资金属性的错配加剧了市场的波动性。
韩国市场的补跌效应与回购托底的消失,引发了显著的流动性冲击。()周一大跌 3.65%,收于 6384.2 点,收盘价紧贴 200 日均线支撑位 6376 点。科技权重更高的 跌幅达 4.8%,半导体指数 下挫 5.2%。SK 海力士与各跌约 4.5%,据高盛首尔交易台描述,当日走势'从开盘起便是单边下行'。
此次补跌的直接原因是韩国市场在韩文日假期休市后,需要消化美国芯片股此前两个交易日的跌幅。外资连续第五日净卖出,科技板块单日净卖出规模达 13 亿美元,其中 SK 海力士遭抛售 7.82 亿美元,三星遭抛售 4.15 亿美元。散户逆势承接,在三星净买入 7.1 亿美元,但高盛指出,散户净买入规模呈下降趋势。更深层的结构性问题在于回购托底的消失。
此前报道指出,三星与 SK 海力士合计约 55 万亿韩元(约 400 亿美元)的回购计划------韩国史上规模最大------已提前数周结束,三星回购于 10 月 6 日实际终止。自回购结束后的三个交易日,KOSPI 已累计下跌约 8%。KOSPI 目前较 6 月 22 日历史高点下跌约 30%,SK 海力士跌幅更深达 45%。分析认为,韩国市场在存储上行周期中率先领涨,在下行周期中也率先破位,或再度扮演领先指标的角色。
Woofun AI 整理数据显示,外资持续流出与回购支撑退坡的双重挤压,使得韩国半导体板块的估值体系面临重构压力。
()在上海宣布的技术突破,成为此轮抛售的重要催化剂,并重塑了全球竞争格局。在 10 月 9 日至 10 日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上,长鑫科技总裁宣布,公司在 4F²架构研发上取得关键进展,并官宣预计年底推出融合 4F²架构、混合键合等先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品,直接面向服务器内存市场。4F²架构的核心意义在于密度跃升。当前 DRAM 行业主流为 6F²架构,即每个存储单元占据 6 倍最小特征尺寸的平方面积。
4F²意味着每个单元面积缩减约三分之一,理论上可在相同晶圆面积、相同制程节点下实现约 50% 的存储密度提升。长鑫 4F²架构的核心创新是自研的 VSG(Vertical Surrounded Gate,垂直包围栅)晶体管,通过垂直包围沟道结构增强栅控能力,同时解决漏电与短沟道效应问题,并借助晶体管竖立布局实现面积微缩。从 6F²到 4F²的跨越,本质上是晶体管沟道方向从水平布局向垂直布局的根本性变革,需要整合全新工艺流程,无法沿用 6F²时代的设计与制造体系。

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