长鑫存储技术突破引发恐慌，韩综指五日暴跌超 10%

据 Woofun AI 消息，长鑫存储的技术突破直接引爆韩国股市剧烈震荡，导致三星电子、SK 海力士及韩国综合指数遭遇重挫。

市场恐慌情绪在周二上午集中释放，韩国综合指数下跌了近 5%，点位滑落至 6,100 点。这一暴跌紧随周一的下跌 3.7% 之后，使得五天内的累计跌幅高达 10.1%。

尽管 2026 年以来该指数仍录得 44.89% 的涨幅，但短期抛压沉重。截至首尔时间上午 9 点 13 分，三星电子与 SK 海力士股价均下跌了约 5%。资金流向显示，外国投资者净抛售了价值 3414 亿韩元的股票，而个人投资者和机构则逆势买入。

与此同时，美国市场夜间交易中，美光科技和股价分别下跌 3.9% 和 6%。SBS 新闻指出，周一的下跌同样源于外资抛售及芯片制造商回购计划接近尾声。《韩国时报》报道，长鑫存储在稳定高带宽内存收益率上仍存挑战，而三星电子和 SK 海力士已启动新一代 HBM4E 测试。

Woofun AI 整理数据显示，Counterpoint Research 统计第一季度全球 DRAM 营收份额为：长鑫存储 8%，三星电子 38%，SK 海力士 29%，美光科技 22%。截至首尔时间上午 9 点 49 分，韩国综合指数依然下跌了 4.06%。

回顾历史，长鑫存储 7 月在上海上市后，韩国综合指数曾下跌超过了 8% 并触发熔断机制。培育证券研究员韩志英预计，恐慌性抛售或引发买盘反弹。值得注意的是，三星电子和 SK 海力士曾在 6 月推动韩国综合指数突破 9,000 点，如今点位已比那时低了 30% 以上。由于这两家公司市值占基准指数一半，其在 DRAM 领域的主导地位一旦受疑，将深刻重塑全球存储芯片市场格局。