存储行情分化：NAND 现货回调 20%，DRAM 合约价仍坚挺

据 Woofun AI 消息，存储芯片市场正经历从“齐涨”到“分化”的结构性转折，确立 DRAM 坚挺与 NAND 走弱的基调。在这一轮上行周期中，NAND 现货端已率先松动，成为首个需要重新定价的品种，而 DRAM 的涨价逻辑尚未被打破，两者走势出现明显背离。

美银 11 月 13 日发布的报告揭示了 NAND 现货与合约价的背离现象。自 10 月中下旬以来，NAND 现货累计回调约 20%，其中 512Gb 晶圆跌逾 10%，1Tb 跌近中个位数，而 16Gb DDR5 现货则保持持平。

Woofun AI 整理数据显示， 监测到 512Gb 晶圆现货报 14.3 美元，周环比跌 12%，季度环比跌 32%，但同比仍涨 121%；1Tb 报 24.9 美元，周环比跌 4%，季度环比跌 19%，同比涨 194%。相比之下，16Gb DDR5 报 60.2 美元，周环比持平，同比涨 150%。

尽管原厂强调企业级 SSD 需求强劲，但美银指出老旧产线占全球晶圆总产能的 20% 至 30%，不适合生产高端 NAND 与 eSSD，仍需持续用于 IT NAND，构成价格的结构性压力。大容量 NAND（2Tb 以上）与 eSSD（30TB 以上）的每比特价格出现小幅下调，但这更像是厂商为推广新一代 QLC 而做的主动促销，多数 eSSD 的 NAND 价格仍呈小幅上行趋势。在合约价方面，据 ，1Tb TLC 晶圆 10 月合约价环比基本持平，延续第二至第三季度的横盘格局；512Gb 合约价约 27 美元，接近历史高位，约为 2025 年 2 月低点 2.5 美元的十倍。

然而，美银担忧若下游迟迟不下急单，2027 年第一季度的合约价谈判可能后移，厂商议价能力将被削弱。因此，美银维持对 2027 年第一季度 NAND 平均售价的谨慎假设：IT 用 NAND 价格环比下降 5% 至 10%，企业级应用基本持平或小幅上行，整体低个位数下滑，这与市场仍预期 NAND 售价上涨 10% 以上的看法形成明显分歧。

与此同时，DRAM 一侧则是另一幅图景。据 TrendForce，16Gb DDR5 合约价 10 月环比再涨 5%，同比涨幅超过 500%；服务器端 DDR5 与 DDR4 的 64GB 模组 10 月合约价环比涨约 15%，模组价格已突破 1000 美元，分别达到 1600 美元和 1500 美元。美银据此维持 DRAM 在 2026 年第四季度环比涨 8%、2027 年第一季度涨 5% 的假设。

在厂商策略层面，美银于 11 月 12 日举办了与的投资者交流会。交流要点显示，美国 AI 数据中心芯片需求强劲，尽管存在担忧但未见订单削减；HBM 市场地位较一年前的弱势明显改善；DRAM 业务的长协价（LTA）强劲上行，高售价与高毛利在长周期内可持续。但管理层的表态并不激进，三星给出的 HBM 份额目标为 30% 至 40% 左右，而非 50% 以上；即便到 2027 年末，LPDDR5 的盈利能力仍优于 HBM，因此 HBM 产能扩张不太可能过于激进，以避免侵蚀传统 DRAM 的市场份额。技术路线上，HBM4e 将与 HBM4 共用同一 1c 节点和 4nm 逻辑芯片。美银还提到，2027 年合约涨价幅度不太可能达到 TrendForce 预期的水平，因为价格在 2026 年已经先行上涨。

值得注意的是，三星对 IT 用 NAND 的指引并不如 eSSD 乐观，这与美银的价格判断一致。