黄仁勋预测中国 2030 年掌握先进光刻

黄仁勋预判中国将于 2030 年实现先进光刻自研，该时间点较蔡司预估提前约 10 年。

据 Woofun AI 消息，英伟达 CEO 黄仁勋在 All-In 峰会上表示，预计中国在 2030 年前后能够研发出自主的先进光刻系统。他指出，一旦技术成熟，中国凭借强大的大规模制造能力，国产设备进入本土晶圆厂仅是时间问题。相比之下，ASML 核心光学供应商蔡司半导体负责人 Frank Rohmund 此前估计，中国研发国产 EUV 光刻机可能需要约 15 年。主持人提问中的'先进光刻系统'并未特指 EUV，黄仁勋的回答也未将其限定为 EUV。