DRAM短缺或延续至2027年，英伟达拟降Rubin Ultra HBM配置

受DRAM供应紧张及HBM4e认证不确定性影响，英伟达正评估降低Rubin Ultra HBM堆叠层数，以平衡产能与成本。

据 Woofun AI 消息，TrendForce 最新报告指出，DRAM 供应短缺状况预计将持续至 2027 年，且 HBM4e 认证时间表仍存变数。自 2026 年第三季度起，英伟达开始重新评估 Rubin Ultra 的 HBM 配置方案，从原定的 12 层堆叠 HBM4e 转向同时评估 8 层 HBM4e、12 层 HBM4 及 8 层 HBM4 等多种设计，最终规格尚未确定。

TrendForce 分析认为，这一调整主要受限于 2027 年总体 DRAM 短缺导致的晶圆产能挤压，以及 12 层 HBM4e 认证与良率提升的不确定性。尽管 2027 年 HBM 比特出货量预计同比增长 50% 至 60%，但仍难以匹配需求增速，供应商有望全年保持定价权。若英伟达选择降低 HBM 规格，Rubin Ultra 的 I/O 速度可能维持在 11 至 12Gbps，而非提升至 14 至 16Gbps。